MIL-SPEC NVRAM具有磁性人格

切姆斯福德，埃塞克斯，英国—

e2v Technologies plc

介绍了EV2A16A磁阻随机存取存储器(MRAM)，一个扩展的可靠性版本

飞思卡尔半导体

MR2A16A。高密度独立4Mbit MRAM非易失性存储设备满足整个军事温度范围(-55°C至+125°C)的全面操作性能要求，用于航空电子、国防和航空航天应用。的

控制工程“问查理”博客有答案:什么是MRAM?

e2v宽带数据转换器、微处理器和服务(BMS)事业部总经理Thierry Gouvernel表示:“EV2A16A是e2v和飞思卡尔最近在mram领域合作的第一个具体成果。“这款设备是对现有嵌入式计算机半导体解决方案的重要补充，嵌入式计算机需要在极端环境条件下生存。”

mram是非易失性存储器设备，使用

巨磁阻(GMR)效应

2007年诺贝尔物理学奖

．

飞思卡尔MRAM产品经理David Bondurant说:“飞思卡尔的MRAM技术在坚固的应用中提供了出色的非易失性性能。“我们很高兴与e2v合作，为高可靠性市场提供比我们的标准产品更极端的要求。”

E2v表示，对于必须永久存储和快速检索关键数据的应用程序来说，非易失性和速度的结合是关键，该设备的设计目的是在发生意外事件(比如断电)时帮助保护数据，而不需要外部电池备份。该设备以SRAM速度运行，具有对称的35 ns读写周期。它的标准SRAM接口允许系统与标准内存控制器无缝集成。

该公司表示，MRAM采用标准44引脚TSOP II型封装，并经过了扩展(-40°C至+110°C)和军用温度范围的测试。

—C.G.马西，资深编辑
控制工程新闻的桌子
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