高热性能，低封装电阻的mosfet

圣何塞，南卡罗来纳州A - 18个n通道mosfet系列，结合了更大器件的热性能和非常低的封装电阻，可在标准SO-8封装轮廓(样品和量产量)。其所谓的“无底”包装，据说是独特的制造商，允许MOSFET的可焊背面直接接触PCB散热器，降低了0.5°C/W以下的结到壳的热阻。它还消除了标准SO-8封装中使用的钢丝键合。这些新型mosfet包括两个150v，两个200v, 6个40v, 4个20v和4个30v器件。

Fairchild Semiconductor Intl．www.fairchildsemi.com

您是否具有本内容中提到的主题的经验和专业知识?你应该考虑为我们的CFE媒体编辑团队做出贡献，并获得你和你的公司应得的认可。点击在这里开始这个过程。