意法半导体的闪存芯片加快了读写功能

瑞士日内瓦,意法半导体11月26日发布了高性能64 mbps闪存芯片M58CR064。它的结构为4 Mbps x 16 Mbps，工作电压为1.8 V。

该公司表示，M58CR064的许多功能包括突发模式，双银行，快速读取和编程操作，以及块级擦除和锁定。据报道，这使得它非常适合无线手机和其他便携式应用。M58CR064支持异步和同步读操作。在同步突发模式下，数据可以在54 mhz时钟的每个周期上读取。M58CR064的随机访问时间为85或100纳秒。

意法半导体补充说，M58CR064最值得注意的功能是缩短编程时间。其中包括芯片能够同时在任何一个存储库中对两个或四个相邻的16位字进行编程。此外，该芯片有一个单独的编程电压引脚，连接一个12v电源，进一步加快编程速度。M58CR064的典型编程时间为每字10微秒。

此外，当M58CR064从1.8 V电源运行时，它可以接受驱动1.65到3.3 V之间的I/O引脚，这允许连接到3 V主机处理器。同样，作为一个双存储库设备——一个存储库包含48 Mbps，另一个包含16 Mbps——m58cr064可以在读取另一个存储库中的数据的同时，对其中一个存储库中的数据进行编程或擦除。

M58CR064总共包含135个块，由127个主块组成，每个主块的速度为512kbps，以及8个参数块，每个主块的速度为64kbps。M58CR064的参数块位于内存地址空间的顶部(M58CR064C)或底部(M58CR064D)。每个块可以支持超过100,000个程序/擦除周期。

由于采用了单独的块锁定方案，任何块都可以在没有延迟的情况下锁定或解锁，从而为代码和数据提供瞬时保护。此外，在上电期间和编程电压引脚下降到某个水平以下时，所有块都被锁定。

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