RFMD扩展了40%的晶圆制造
格林斯博罗、数控- - - - - -RFMD为无线通信应用提供专有射频集成电路(rfic)的供应商，宣布了一项8000万美元的晶圆制造工厂(Fab)扩建计划。利用GaAs HBT和GaAs pHEMT工艺技术，RFMD的晶圆制造能力预计将在目前水平的基础上增加约40%。此次扩建预计还将降低公司每片晶圆的成本，并提供可用产能，以增加GaAs phemt的内部产量，这是公司发射模块中的关键使能技术。
对GaAs技术不断增长的需求受到多种因素的推动，包括市场份额的增长和对移动设备的强劲需求。根据行业预测，在新兴市场和新功能丰富的设备的推动下，2006年的手机出货量将超过9亿部。在这些手机中，越来越多的手机将采用RFMD的功率放大器(PA)和传输模块，这些模块集成了GaAs pHEMT传输开关技术和公司的GaAs HBT功率放大器技术。此外，3G(或多模)手机包含多个传输链，需要多个pa。行业分析师目前预计，3G手机销量将在2006年和2007年翻番，达到约2亿部。最后，在不断增长的手机WLAN市场中，对WLAN前端模块的需求增加，这些模块具有GaAs HBT和GaAs pHEMT技术。
这是该公司15年来宣布的第五次产能扩张。公司收入在2005年第一季度为1.504亿美元，当时之前的晶圆厂扩建完成，并在2005年第四季度增加到2.08亿美元，不到一年后。
RFMD已经开始在现有的洁净室设施中扩大其晶圆制造设备基地，预计在2006年底批量生产。RFMD预计在扩建后的工厂将增加300个新的技术岗位。
该公司还获得了北卡罗来纳州的就业发展激励补助金，该补助金为其扩张提供了高达490万美元的税收抵免。RFMD还从格林斯博罗市和吉尔福德县获得了近150万美元的集体认捐。
——资深编辑理查德·菲尔普斯控制工程
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