NPN晶体管加入到高性能双极功率晶体管中

意法半导体推出了高性能双极功率晶体管新家族的第一个成员。根据意法半导体公司的说法，这种新型晶体管提供了高电流能力、集电极-发射极阻塞电压和超低集电极-发射极饱和电压的组合，使其非常适合用于LED驱动器、电机和继电器驱动器以及dc-dc转换器。

3STR1630是一种采用新型低压平面技术制造的NPN晶体管。平面技术采用双金属工艺，使电池密度几乎翻倍，而不需要使用复杂的光刻设备。

除了在相同尺寸的芯片上增加约50%的电流容量外，双金属工艺还使晶体管的Vceo额定值高达100 V，更高的工作开关频率(高达300 kHz)， Vce(sat)降低40%。

新家族的第一个成员3STR1630的BV最小_{首席执行官}30v，提供了28 V阻塞电压能力和最小Vce(sat)之间的折衷，在hFE值为50时等效导通电阻仅为100毫欧姆。此外，它可以处理高达6a的连续电流，同时被安置在一个小轮廓SOT-23封装中。

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意法半导体

- Amanda McLeman编辑控制工程，www.globalelove.com

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