角度传感器提供全方位正交，信号大而无放大

NVE表示，每个传感器元件都包含两个磁性层:一个“固定”或固定方向层;和一个可移动的方向，或“自由”层。上图显示了配置，使用箭头表示两个层。NVE PDF有更多关于AAT001-10ETMR传感器的图表和规格详细信息。

伊甸草原，明尼苏达州NVE公司最近推出了NVE AAT001-10E TMR角度传感器，这是NVE第一个使用隧道磁电阻(TMR)的商业传感器，该公司表示，它产生的信号比巨磁电阻“更大”，这使其成为旋转编码器、汽车旋转传感器、电机轴位置传感器和旋钮位置传感器等应用的理想选择。
隧穿磁电阻也被称为自旋依赖隧道效应(SDT)、磁隧道结(MTJ)或隧穿磁结(TMJ)，隧穿磁电阻是一种自旋电子量子效应，它在正常绝缘层中产生巨大的电阻变化，这取决于磁场和自由层中的主要电子自旋。NVE表示，新设备有四个TMR元件，配置为一个角度传感器，具有完整的正、余弦输出。
这些部件采用超微型2.5毫米× 2.5毫米6针TDFN封装。在典型操作中，外部棒或裂极磁铁在传感器平面内提供30 ~ 200 Oersteds的饱和磁场。
TMR产生非常大的信号，无需放大，以获得卓越的精度，宽气隙公差，以及由于高元件电阻而产生的低功耗。
NVE表示，他们在自旋电子学的实际商业化方面处于领先地位。自旋电子学是一种依靠电子自旋而不是电子电荷来获取、存储和传输信息的纳米技术。该公司生产高性能自旋电子产品，包括用于获取和传输数据的传感器和耦合器。NVE还授权了其自旋电子磁阻随机存取存储器技术，通常称为MRAM。www.nve.comwww.GMRsensors.com
- Mark T. Hoske编辑，控制工程总编辑;在这里注册。

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