大电流IGBT模块

加利福尼亚州圣克拉拉-新系列的1200 V IGBT模块，每个IGBT的电流范围为75到300 A，与FRED二极管具有相同的额定值。每个模块适用于PWM操作高达30 kHz。模块系列有三种电路拓扑:双IBVT半桥(MII);boost配置(MID);buck配置(MDI)。直接铜键(DCB)结构与非穿孔(NPT) igbt相结合。功率晶体管和FRED二极管直接焊接到DCB衬底上。由于硅和DCB的热膨胀系数相似，功率半导体芯片加热和冷却引起的机械应力减小到最小。

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