飞思卡尔生产4兆MRAM内存的数量

飞思卡尔表示，他们现在正在批量生产第一个商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。

奥斯丁, TX第一个商用磁阻随机存取存储器(MRAM)设备现已批量生产，可从飞思卡尔半导体．该公司表示，其4兆比特(Mbit) MRAM产品具有快速、非易失性内存和无限续航能力，这是其他单个半导体存储产品所不具备的特性的组合。该设备建立在“100多项飞思卡尔专利保护的技术基础上，包括切换位开关”。MRAM使用磁性材料与传统硅电路相结合，在单个高耐用器件中提供SRAM的速度，并具有闪光的非挥发性。该公司表示，这项技术的成功商业化可以加速新型电子产品的出现，在尺寸、成本、功耗和系统性能方面都有巨大的进步。

MR2A16A适用于各种商业应用，如网络、安全、数据存储、游戏和打印机。它被设计用来取代电池支持的SRAM单元，也可以用于缓存缓冲区、配置存储存储器和其他需要MRAM的速度、持久性和非易失性的应用。这款3.3 V的设备有一个商业温度范围，35纳秒的读写周期时间，异步内存为256K字16位。行业标准SRAM引脚安排允许系统设计的灵活性，没有总线争用。该设备安装在400 mil TSOP ii型RoHS包装中。它是在飞思卡尔在亚利桑那州的200毫米钱德勒Fab制造的。

MR2A16A MRAM现在可用。

《被马克·霍斯克，控制工程总编辑

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