门电路用变换器系列

Murata的MGJ1 1w dc-dc变换器系列设计用于驱动高侧和低侧栅极电路,如绝缘栅双极晶体管(igbt)和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC mosfet),以实现最佳效率。

通过村田电力解决方案 2016年8月9日

Murata的MGJ1 1w dc-dc变换器系列设计用于驱动高侧和低侧栅极电路,如绝缘栅双极晶体管(igbt)和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC mosfet),以实现最佳效率。具有高隔离特性,高达5.2 kVdc, MGJ1提供流行的标称输出电压组合+15/-5,+15/-9,或+19/-5 Vdc。该系列还提供5、12或24 Vdc输入的选择。MGJ1系列的特点是具有高dV/dt抗扰度,设计用于在快速开关电路中持续工作,以及有助于长使用寿命的局部放电性能。此外,转换器的低输入输出耦合电容有助于减少电磁干扰(EMI)的影响。该系列适用于广泛的医疗应用,该转换器还可用于加强绝缘,具有9.3 mm的爬电和间隙空间,有助于安全机构通过高工作电压应用。

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