用于恶劣条件的绝缘栅双极晶体管
意法半导体(STMicroelectronics)的H系列1200V绝缘栅双极晶体管(igbt)旨在提高应用中的能源效率和坚固性,并具有集成的抗并联二极管和电磁干扰。
意法半导体(STMicroelectronics)的H系列1200v绝缘栅双极晶体管(igbt)旨在提高太阳能逆变器、焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC)转换器等应用的能源效率和坚固性。
H系列1200v igbt可选择集成反并联二极管用于硬开关电路,并最大限度地减少带有自由轮二极管的电路中的能量损失。
igbt无锁存,短路时间为5µs(在150℃的起始结温下)。175℃的最大工作结温有助于提高使用寿命,简化系统冷却。
其他特性包括EMI(电磁干扰)特性,这要归功于开关事件期间的波形。Vce(sat)的温度系数为正,器件间参数分布紧密,可在大功率应用中实现更安全的并联操作。
意法半导体
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