全新0.18µm高压CMOS工艺，可批量生产

近日，奥地利微系统公司宣布有条件批量生产其先进的0.18微米高压CMOS工艺技术“H18”，该技术将在IBM的200mm伯灵顿晶圆工厂生产。与IBM共同开发的0.18 μ m高压CMOS工艺是奥地利微系统公司开发的第六代不断改进的高压CMOS技术。

新的0.18 μ m高压CMOS工艺在单个IC上具有更高水平的RF和HV集成能力，可提供最高的集成密度，高达118k栅极/mm²，可实现SoC应用(片上系统)以及一流的上电电阻(Rdson)，从而直接减少硅面积。H18的集成能力使设计公司和idm能够在智能传感器、传感器接口设备、智能电表、工业和建筑控制以及LED照明控制等领域创造新的应用。H18在创造下一代更智能的互联设备方面具有独特的定位。

在完全兼容的CMOS基本工艺之上只需要几个掩模电平加法器来实现高压功能，使H18工艺成为市场上最具成本竞争力的0.18 μ m高压CMOS技术之一。该工艺允许在单个芯片上集成1.8V, 5V, 20V和50V器件，而无需任何工艺修改。工艺特点，如肖特基势垒二极管，高阻和精密聚，单和双金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，变容管和多达7个金属层，包括厚金属，完成了最先进的高压CMOS工艺。

“我们非常高兴与IBM共同开发了行业基准0.18 μ m高压CMOS工艺，奥地利微系统凭借其领先的高压专业知识实现了该技术。该工艺技术在市场上发现了巨大的兴趣，允许模块化SoC设计将模拟高压块与RF CMOS，扩展数字功能和微控制器集成在一起，”奥地利微系统公司全面服务代工业务部高级副总裁兼总经理Thomas Riener表示。“H18技术现在正在广泛的智能绿色应用中发展，例如电源管理和LED驱动器应用。”

IBM微电子专业铸造厂总监Regina Darmoni表示:“奥地利微系统公司在高压领域的领先地位与IBM的高密度RF CMOS传统相结合，为H18工艺创造了独特的价值。“H18代表了半导体集成的新范例，使更智能和更具成本效益的终端设备成为‘物联网’的一部分。光伏、智能传感器、智能电表和LED驱动器只是智慧地球应用的一部分。我们期待着在这个不断扩大的市场上继续与奥地利微系统公司合作。”

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